MOSFET能全面取代繼電器嗎？

        MOSFET多為功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，能以極低的電能控制大功率負(fù)荷的通斷，接合光電耦合器和適當(dāng)?shù)腗OSFET組合可達(dá)到隔離、雙向?qū)ǖ目刂菩Ч刃в诶^電器，在開關(guān)速度以及耐壓、抗震方面高于電磁繼電器指標(biāo)。同等負(fù)載功率下，成本也遠(yuǎn)低于繼電器。

       但是MOSFET的缺點(diǎn)是比電磁繼電器容易損壞，需要更多的保護(hù)電路來配合使用才能提高穩(wěn)定性。另外，電磁繼電器可輕而易舉達(dá)到多組觸點(diǎn)隔離聯(lián)動(dòng)、常開常閉功能，一只或一對(duì)MOSFET只能實(shí)現(xiàn)一個(gè)觸點(diǎn)，要想實(shí)現(xiàn)多組以及三點(diǎn)開關(guān)這些功能，工程可就大了。